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激光器芯片擴(kuò)膜摘料設(shè)備

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激光器芯片擴(kuò)膜摘料設(shè)備：激光器芯片經(jīng)過(guò)劃片、裂片后，進(jìn)行藍(lán)膜擴(kuò)膜分隔產(chǎn)品間距，通過(guò)OCR字符識(shí)別與Map表格對(duì)應(yīng)，實(shí)現(xiàn)力控吸取物料Wafer To Tray,并且檢測(cè)N面，P面，共晶面，Wire Boned面缺陷，良率達(dá)到99.95%以上。節(jié)省人力6人，經(jīng)濟(jì)效益50W/年、

詳細(xì)介紹

激光器芯片擴(kuò)膜摘料設(shè)備：是芯片經(jīng)過(guò)劃片、裂片后，進(jìn)行藍(lán)膜擴(kuò)膜分隔產(chǎn)品間距，通過(guò)OCR字符識(shí)別與Map表格對(duì)應(yīng)，實(shí)現(xiàn)力控吸取物料Wafer To Tray，并且良率達(dá)到99.95%以上。
技術(shù)參數(shù)

取芯精度	土0.02mm
芯片旋轉(zhuǎn)	土60°
芯片尺寸	0.3mm x0.5mm ~5mm x7mm
晶環(huán)尺寸	8寸
識(shí)別精度	土0.005um/pix
取芯臂	90°
滑臺(tái)分辨率	0.5um
氣源	0.3~0.7Mpa
圖像識(shí)別	2500萬(wàn)像素
取芯頭	真空表面吸取式
取芯力度	15~200g可調(diào)
電源	單相220V AC土10%/50HZ/可靠接地
外形尺寸	1690mm x 1050mm x 1750mm